| Título: | Estudo das propriedades físicas de filmes de óxido de zinco e determinação do potencial uso como sensores |
| Autor(es): | Silva, Vinícius Cerqueira |
| Orientador(es): | Coaquira, José Antonio Huamaní |
| Assunto: | Óxido de zinco Filmes finos |
| Data de apresentação: | 17-Fev-2025 |
| Data de publicação: | 19-Jan-2026 |
| Referência: | SILVA, Vinícius Cerqueira. Estudo das propriedades físicas de filmes de óxido de zinco e determinação do potencial uso como sensores. 2025. 123 f., il. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Física) — Universidade de Brasília, Brasília, 2025. |
| Resumo: | Materiais óxidos nanoestruturados são atualmente utilizados como biossensores em aplicaçõestecnológicas.Essesmateriaistêmgrandeinteressedevidoaoseupotencialparauso em diagnósticos médicos, pois possibilitam avaliações rápidas, não invasivas e de baixo custo. Neste trabalho, filmes de óxido de zinco (ZnO) foram produzidos pelo método de deposição por sputtering, variando a pressão de trabalho, a fim de obter materiais com características específicas que possam ser usados como sensores de gás. A análise de superfície utilizando SEM revelou a formação de micro cristais e dois tamanhos médios de grãos, um maior que 1 micrômetro e o outro menor que 500 nm. A análise de difração de raios-X revelou a formação da fase wurtzita do ZnO com orientação preferencial ao longo da direção [002]. Foi determinado que a espessura dos filmes diminui à medida que a pressão de trabalho é aumentada. A análise dos dados de XRD também indica que os tamanhos médio dos cristalitos e as constantes de rede diminuem à medida que a pressão de trabalho é aumentada. Os resultados da espectroscopia UV-Vis revelaram que a energia da banda proibida dos filmes não apresenta uma tendência clara com a pressão de trabalho. No entanto, a Energia de Urbach aumenta de 0,1 a 0,3 eV, sugerindo a formação de mais defeitos à medida que a espessura dos filmes se torna mais fina. A dependência da temperatura da resistividade dos filmes na faixa de 300 a 573K mostra um comportamento semicondutor típico e indica a presença de duas energias de ativação. As medições de fotocorrente dos filmes mostraram uma boa sensibilidade à luz UV. A análise dos dados indica a presença de energias de armadilha em 0,58 e 0,63eV, sugerindo respostas rápida e lenta, respectivamente. Testes de resposta do sensor utilizando gás metano foram realizados, os quais mostraram que os filmes de ZnO podem ser usados como material para sensor de gás. |
| Abstract: | Nanostructured oxide materials are currently used as biosensors in technological applications. These materials are of great interest due to their potential for use in medical diagnostics, as they enable rapid, non-invasive, and low-cost evaluations. In this work, zinc oxide (ZnO) films were produced by the sputtering deposition method, varying the working pressure, in order to obtain materials with specific features which can be used as gas sensors. Surface analysis using SEM revealed the formation of microrods and two sizes of grains, one larger than 1 micrometer and the other smaller than 500 nm. X-ray diffraction analysis revealed the formation of ZnO’s wurtzite phase with preferential orientation along the [002] direction. It was determined that the film thickness decreases as the working pressure is increased. XRD data analysis also indicates that the mean crystallite size and lattices constants decreases as the working pressure is increased. UV-Vis spectroscopy results revealed that the band gap energy of the films does not show a clear tendency with the working pressure. However, Urbach Energy increases from 0.1 to 0.3 eV, suggesting the formation of more defects as the film thickness become thinner. The temperaturedependenceoftheresistivityofthefilmsintherangefrom300to573Kshows a typical semiconducting behavior and indicates the presence of two activation energies. Photocurrent measurements for the films showed a good sensitivity to UV light. Data analysis indicates the presence of trap energies at 0.58 and 0.63 eV, suggesting fast and slow response, respectively. Tests of sensor response using methane gas were carried out, which showed that the ZnO films can be used as a gas sensor material. |
| Informações adicionais: | Trabalho de Conclusão de Curso (graduação) — Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2025. |
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| Aparece na Coleção: | Física
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