| Título: | Chaveador RF para comunicação em banda Ku |
| Autor(es): | Nascimento, Vinícius Lisboa do |
| Orientador(es): | Rondineau, Sébastien Roland Marie Joseph |
| Assunto: | Ondas eletromagnéticas
Microondas
Processamento de sinais - técnicas digitais |
| Data de apresentação: | 4-Dez-2019 |
| Data de publicação: | 25-Nov-2020 |
| Referência: | NASCIMENTO, Vinícius Lisboa do. Chaveador RF para comunicação em banda Ku. 2019. 138 f. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia Eletrônica)—Universidade de Brasília, Brasília, 2019. |
| Resumo: | Este presente trabalho retrata o motivo e o desenvolvimento de um circuito chaveador
na banda Ku que posteriormente, em uma parte futura do projeto, será usado como
elemento de uma matriz de comutadores. Esta matriz futuramente fará parte de um
sistema irradiante com lentes de Rotman e com um arranjo de antenas e também faz
parte de um projeto de um transceptor móvel na banda Ku. O chaveador microondas e a
matriz de chaveadores microondas foram projetados com diodos PIN em paralelo devido
à necessidade de baixa perda de inserção, de um alto isolamento, de uma baixa perda
de retorno e possivelmente de uma alta potência incidente. O circuito foi desenvolvido,
simulado e fabricado em microfita sobre substrato. O chaveador não foi testado devido à
defeitos cometidos por erros do fabricante durante o processo de fabricação. |
| Abstract: | This paper describes the reason and the development of a switching circuit in the Ku
band that later, in a future part of the project, will be used as an element of an array of
switches. This array will in future be part of a radiating system with Rotman lenses and
an array of antennas and is also part of a design of a mobile transceiver in the Ku band.
The microwave switch and the microwave switch matrix were designed with PIN diodes
in parallel because of the need for low insertion loss, high insulation, low return loss and
possibly a high incident power. The circuit was developed, simulated and manufactured in
microstrip on substrate. The switch was not tested due to defects caused by manufacturer
errors during the manufacturing process. |
| Informações adicionais: | Conclusão de Curso (graduação)—Universidade de Brasília, Faculdade UnB Gama, 2019. |
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| Aparece na Coleção: | Engenharia Eletrônica
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