Projeto de amplificador de baixo ruído em 900 mhz para sistema em chip CMOS

Abstract

Este trabalho apresenta como primeira contribuição uma proposta de amplificador de baixo ruído, realizado em circuito integrado em 900MHz na tecnologia C35B4C3 da AMS, que utiliza uma carga resistiva , dispensando-se assim a utilização de indutores adicionais no projeto. A segunda contribuição diz respeito às técnicas de layout empregadas no projeto. É proposta uma disposição espacial dos elementos constitutivos do LNA que tende a minimizar a figura de ruído do sistema. Além disso, uma capacitância de by-passing é adicionada ao layout de forma a obter uma maior estabilidade com relação a possíveis flutuações na alimentação do circuito; contudo, sem que grandes complicações sejam introduzidas no projeto. Os principais parâmetros de projeto e simulação do LNA foram: figura de ruído, ganho de tensão, impedância de entrada, ponto de intersecção de terceira ordem referido à entrada, potência dissipada e estabilidade. Dentre todos esses parâmetros, o único que não foi completamente satisfeito em relação às arquiteturas típicas de LNAs encontradas na literatura foi a figura de ruído1; entretanto, sabe-se que a justificativa para esse resultado se encontra associada à natureza ruidosa da carga utilizada.