Extração de portadores de carga por meio do aumento linear da tensão : simulação e análise da técnica CELIV

Abstract

A incorporação dos materais orgânicos no âmbito dos circuitos integrados e dispositivos eletrôni- cos é promissora. A possibilidade de aumento da capacidade produtiva por meio da produção em larga escala em ambientes atomosféricos não-restritivos, tem instigado cada vez mais os pesquisa- dores de todo mundo a investigar e procurar aumentar a competitividade dos materiais orgânicos diante de uma indústria já consolidada do sílicio. No entanto, apesar de apresentarem diversas vantagens como exibilidade, transparência e biodegradabilidade os materais orgânicos se mostram mais suscetíveis quando expostos às condições atmosféricas, podendo inuenciar no seu desempe- nho. Efeitos como oxidação e exposição à umidade podem afetar de maneira irreversível a matéria orgânica e, para que o estudo à cerca de tais materiais possa avançar, é fundamental entender e mensurar tais efeitos, pricipalmente em termos da capacidade de condução do material e da concentração de carga. O trabalho aqui desenvolvido tem como principal intuito a simulação e a análise de uma das principais técnicas capazes de determinar a mobilidade (μ) e a densidade dos portadores de carga (n) de maneira concomitante. Por meio do aumento linear da tensão (V ) e da construção do perl transiente para a densidade de corrente (J), caracterizado por uma resistência diferencial negativa, pode-se determinar as variáveis supracitadas. A construção de um simulador numérico capaz de gerar as curvas da técnica CELIV (Charge Carrier Extraction by Linearly Increasing Voltage) permite também explicar efeitos transitórios presentes em cur- vas obtidas experimentalmente, bastanto para isso, combinar fenômenos usualmente presentes em materiais orgânicos.