Título: | Modelagem de transistores de filmes finos orgânicos com o modelo de fonte virtual : uma avaliação comparativa |
Autor(es): | Coelho, Ricardo Moreno Taveira |
Orientador(es): | Blawid, Stefan Michael |
Coorientador(es): | Cheralathan, Muthupandian |
Assunto: | Transistores de filmes finos (TFT) Circuitos elétricos |
Data de apresentação: | Dez-2015 |
Data de publicação: | 21-Jun-2017 |
Referência: | COELHO, Ricardo Moreno Taveira. Modelagem de transistores de filmes finos orgânicos com o modelo de fonte virtual: uma avaliação comparativa. 2015. vi, 42 f., il. Trabalho de conclusão de curso (Bacharelado em Engenharia Elétrica)—Universidade de Brasília, Brasília, 2015. |
Resumo: | Este projeto avalia a aplicabilidade do modelo de fonte virtual mvs desenvolvido pelo MIT para a modelagem de transistores orgânicos de filmes finos ( OTFT’s) para simulações. Para tanto, foi implementado o modelo usando a linguagem Verilog-A no simulador de circuito Qucs (Quite Universal Circuit Simulator). Os parâmetros desse modelo têm uma clara interpretação física, como a velocidade de injeção de carga e a mobilidade efetiva, e o número de parâmetros é limitado. Isso torna o mvs altamente adaptável, um recurso promissor para modelar transistores fabricados em plataformas com constantes mudanças. Para avaliar a performance do modelo de fonte virtual, as características I versus V de um transistor de filmes finos serão reproduzidas e o resultado obtido será comparado a outros modelos, como UMEM e MOSFET level 1. Para todas as simulações, o Qucs foi usado. |
Abstract: | The present project evaluates the applicability of the Virtual Source Model MVS developed by MIT for the modeling of organic thin film transistors (OTFTs) for circuit simulation purposes. To this extent, a Verilog-A version of the model was implemented in a general circuit simulator (Quite Universal Circuit Simulator - Qucs). Model parameters in MVS have a clear physical interpretation, like injection velocity and effective mobility, and their number is limited. This makes the MVS highly adaptive, a promising feature for a model intended to be used to model transistors fabricated on emergent and rapidly changing technology platforms. To evaluate the performance of MVS, IV characteristics of OTFTs are fitted and the results are compared to fits obtained, employing different compact models, like UMEM and MOSFET level 1. Qucs was used
for all simulations. |
Informações adicionais: | Trabalho de conclusão de curso (graduação)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2015. |
Aparece na Coleção: | Engenharia Elétrica
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