| Título: | Projeto auxiliado por computador de transistor reconfigurável (RFET) de nanotubos de carbono (CNT) |
| Autor(es): | Moura, Rebeca dos Santos de |
| Orientador(es): | Blawid, Stefan Michael |
| Assunto: | Transistores
Nanotubos de carbono
Circuitos integrados |
| Data de apresentação: | 2015 |
| Data de publicação: | 26-Set-2016 |
| Referência: | MOURA, Rebeca dos Santos de. Projeto auxiliado por computador de transistor reconfigurável (RFET) de nanotubos de carbono (CNT). 2015. vii, 57 f., il. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia da Computação)—Universidade de Brasília, Brasília, 2015. |
| Resumo: | Transistores reconfiguráveis baseados em nanotubos de carbono (cnt-rfet) são uma alternativa à
tecnologia cmos a base de Silício amplamente usada nos dispositivos de hoje. Este trabalho é um
projeto de um cnt-rfet com duas portas que circundam o nanotubo, que podem ser programadas
através de um sinal elétrico. Dessa forma, o transistor pode apresentar tanto o comportamento
p-fet quanto n-fet dependendo da tensão de polarização. O simulador coos, um framework
para simulação numérica de dispositivos, foi usado para a solução de um modelo que descreve
a injeção de cargas no canal do transistor através de tunelamento e o movimento balístico das
cargas injetadas ao longo do canal. Começando com uma primeira hipótese de possível arquitetura
do dispositivo, o cnt-rfet foi moldado e aprimorado, com base em diversas simulações para
investigar o funcionamento do transistor e o efeito de variações na geometria do dispositivo e nos
materiais, até a obtenção do protótipo apresentado. Várias curvas de transferência, curvas de saída
e diagramas de banda foram calculados, analisados e comparados com um cntfet tradicional para
melhor avaliação do dispositivo simulado. |
| Abstract: | Carbon nanotube reconfigurable transistors (cnt-rfets) are a possible alternative to Siliconbased
cmos technology widely used in devices nowadays. This work projects a cnt-rfet with
two wrap-around gate structures, that can be programmed via an electrical signal. Thus, the
transistor can behave as a p-fet or n-fet depending on the bias voltage. coos, a framework for
numerical device simulations, was used to solve a model describing the injection of charges into
the transistor channel via tunneling and the ballistic movement of the injected charges along the
channel. Starting with a first guess of a possible device architecture, the cnt-rfet was shaped
and refined based on several simulations to investigate the basic operation of the transistor and the
effect of changes in the geometry and materials of the device, to obtain the presented prototype.
Various transfer curves, output curves and band diagrams were calculated, analyzed and compared
with a normal cntfet, for a better evaluation of the simulated device. |
| Informações adicionais: | Trabalho de Conclusão de Curso (graduação)—Universidade de Brasília, Instituto de Ciências Exatas, Departamento de Ciência da Computação, 2015. |
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