| Campo Dublin Core | Valor | Língua |
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| dc.contributor.advisor | Blawid, Stefan Michael | - |
| dc.contributor.author | Andrade, Denise Louzada Muniz de | - |
| dc.identifier.citation | ANDRADE, Denise Louzada Muniz de. Projeto auxiliado por computador de um transistor de tunelamento reconfigurável (R-TFET) de nanotubos de carbono (CNT). 2016. vii, 37 f., il. Trabalho de Conclusão Curso (Bacharelado em Engenharia Elétrica)—Universidade de Brasília, Brasília, 2016. | pt_BR |
| dc.description | Trabalho de Conclusão Curso (graduação)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2016. | pt_BR |
| dc.description.abstract | Transistores reconfiguráveis tem surgido como alternativa à miniaturização de dispositivos CMOS
ditada pela lei de Moore. Este trabalho tem como objetivo avaliar se é possível realizar um tran-
sistor reconfigurável com transistores de tunelamento (TFETs) de nanotubos de carbono (CNT).
Uma geometria retangular com uma porta de controle e duas portas de programação foi utilizada
para possibilitar a operação em regime tipo-p e tipo-n por meio da modulação de suas tensões de
polarização. O simulador COOS, um framework de simulação numérica para dispositivos, foi a
principal ferramenta utilizada nesta investigação teórica. O simulador foi configurado de forma
a descrever a injeção de cargas por tunelamento e o transporte balístico de cargas no canal. A
possibilidade de reconfiguração foi confirmada e em seguida foram investigados os efeitos da va-
riação de alguns parâmetros nos perfis de bandas de energia e na característica de transferência,
em especial, no subthreshold slope, SS. Para tanto, foram variadas as tensões de polarização das
portas, a simetria do dispositivo e o diâmetro do CNT. A avaliação dos resultados foi feita por
meio da visualização de gráficos gerados na ferramenta MATLAB. | pt_BR |
| dc.rights | Acesso Aberto | pt_BR |
| dc.subject.keyword | Transistores | pt_BR |
| dc.subject.keyword | Nanotubos de carbono | pt_BR |
| dc.subject.keyword | Dispositivos eletrônicos | pt_BR |
| dc.subject.keyword | Circuitos integrados | pt_BR |
| dc.title | Projeto auxiliado por computador de um transistor de tunelamento reconfigurável (R-TFET) de nanotubos de carbono (CNT) | pt_BR |
| dc.type | Trabalho de Conclusão de Curso - Graduação - Bacharelado | pt_BR |
| dc.date.accessioned | 2021-06-28T17:49:34Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-28T17:49:34Z | - |
| dc.date.submitted | 2016-07-13 | - |
| dc.identifier.uri | https://bdm.unb.br/handle/10483/27857 | - |
| dc.language.iso | Português | pt_BR |
| dc.rights.license | A concessão da licença deste item refere-se ao termo de autorização impresso assinado pelo autor que autoriza a Biblioteca Digital da Produção Intelectual Discente da Universidade de Brasília (BDM) a disponibilizar o trabalho de conclusão de curso por meio do sítio bdm.unb.br, com as seguintes condições: disponível sob Licença Creative Commons 4.0 International, que permite copiar, distribuir e transmitir o trabalho, desde que seja citado o autor e licenciante. Não permite o uso para fins comerciais nem a adaptação desta. | pt_BR |
| dc.description.abstract1 | Reconfigurable transistores have emerged as an alternative to the CMOS device scaling resulted
from Moore’s law. This work aims to determine the possibility of realisation of a reconfigurable
transistor with tunneling transistors (TFETs) made with carbon nanotubes (CNTs). A rectangular
geometry with one control gate and two programming gates was used to enable p-type and n-
type operation by means of gate bias modulation. The COOS simulator, a numerical simulation
framework for devices, was the main tool used in this theoretical investigation. The simulator was
configured to describe the charge injection by tunneling and the ballistic charge transport within
the channel. Reconfigurability was confirmed and the effects of some key parameter variations on
band profiles and transfer characteristics, subthreshold slope, SS in particular, were investigated.
For that reason, gate bias, device symmetry and CNT diameter were varied. The evaluation of
results was done by visualising graphics created with MATLAB. | pt_BR |
| Aparece na Coleção: | Engenharia Elétrica
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