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dc.contributor.advisorBlawid, Stefan Michael-
dc.contributor.authorCoelho, Ricardo Moreno Taveira-
dc.identifier.citationCOELHO, Ricardo Moreno Taveira. Modelagem de transistores de filmes finos orgânicos com o modelo de fonte virtual: uma avaliação comparativa. 2015. vi, 42 f., il. Trabalho de conclusão de curso (Bacharelado em Engenharia Elétrica)—Universidade de Brasília, Brasília, 2015.pt_BR
dc.descriptionTrabalho de conclusão de curso (graduação)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2015.pt_BR
dc.description.abstractEste projeto avalia a aplicabilidade do modelo de fonte virtual mvs desenvolvido pelo MIT para a modelagem de transistores orgânicos de filmes finos ( OTFT’s) para simulações. Para tanto, foi implementado o modelo usando a linguagem Verilog-A no simulador de circuito Qucs (Quite Universal Circuit Simulator). Os parâmetros desse modelo têm uma clara interpretação física, como a velocidade de injeção de carga e a mobilidade efetiva, e o número de parâmetros é limitado. Isso torna o mvs altamente adaptável, um recurso promissor para modelar transistores fabricados em plataformas com constantes mudanças. Para avaliar a performance do modelo de fonte virtual, as características I versus V de um transistor de filmes finos serão reproduzidas e o resultado obtido será comparado a outros modelos, como UMEM e MOSFET level 1. Para todas as simulações, o Qucs foi usado.pt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subject.keywordTransistores de filmes finos (TFT)pt_BR
dc.subject.keywordCircuitos elétricospt_BR
dc.titleModelagem de transistores de filmes finos orgânicos com o modelo de fonte virtual : uma avaliação comparativapt_BR
dc.typeTrabalho de Conclusão de Curso - Graduação - Bachareladopt_BR
dc.date.accessioned2017-06-21T13:51:35Z-
dc.date.available2017-06-21T13:51:35Z-
dc.date.submitted2015-12-
dc.identifier.urihttp://bdm.unb.br/handle/10483/17232-
dc.language.isoPortuguêspt_BR
dc.contributor.advisorcoCheralathan, Muthupandian-
dc.description.abstract1The present project evaluates the applicability of the Virtual Source Model MVS developed by MIT for the modeling of organic thin film transistors (OTFTs) for circuit simulation purposes. To this extent, a Verilog-A version of the model was implemented in a general circuit simulator (Quite Universal Circuit Simulator - Qucs). Model parameters in MVS have a clear physical interpretation, like injection velocity and effective mobility, and their number is limited. This makes the MVS highly adaptive, a promising feature for a model intended to be used to model transistors fabricated on emergent and rapidly changing technology platforms. To evaluate the performance of MVS, IV characteristics of OTFTs are fitted and the results are compared to fits obtained, employing different compact models, like UMEM and MOSFET level 1. Qucs was used for all simulations.pt_BR
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